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薄膜系列

IGBT吸收電容器

C3H
C38
C16

IGBT吸收電容器（引線式） 額定電壓：630VDC - 3000VDC 容量范圍：0.047μF - 9.0μF 電氣性能：耐壓優(yōu)良、能承受脈沖大電流、ESR小

主要應(yīng)用于高壓高頻脈沖電路，適合作為IGBT吸收電容 如：光伏逆變器、UPS/EPS、伺服電機、民用及工業(yè)儲能等

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IGBT吸收電容器（焊片式） 額定電壓：630VDC - 3000VDC 容量范圍：0.047μF - 9.0μF 電氣性能：耐壓優(yōu)良、能承受脈沖大電流、ESR小

主要應(yīng)用于高壓高頻脈沖電路，適合作為IGBT吸收電容 如：光伏逆變器、UPS/EPS、伺服電機、民用及工業(yè)儲能等

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IGBT吸收電容器（軸向型） 額定電壓：630VDC - 3000VDC 容量范圍：0.068μF - 10.0μF 電氣性能：耐壓優(yōu)良、能承受脈沖大電流、ESR小

主要應(yīng)用于高壓高頻脈沖電路，適合作為IGBT吸收電容 如：光伏逆變器、UPS/EPS、伺服電機、民用及工業(yè)儲能等

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